2N5090 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5090 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5090
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 2N5090

2N5090 Datasheet (PDF)

9.1. Size:11K semelab
2n5095.pdf

2N5095Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 400V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.2. Size:11K semelab
2n5099.pdf

2N5099Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 550V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.3. Size:95K ssdi
2n5094 2n5096.pdf