Биполярный транзистор PN5172 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PN5172
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
PN5172 Datasheet (PDF)
9.1. Size:992K fairchild semi
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf
MPS5179 MMBT5179 PN5179CEC TO-92 C TO-92B B ESOT-23E BMark: 3CNPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifierswith collector currents in the 100 A to 30 mA range in commonemitter or common base mode of operation, and in low frequencydrift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless o
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
