PN5172. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PN5172

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для PN5172

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN5172 даташит

 9.1. Size:992K  fairchild semi
 pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf pdf_icon

PN5172

MPS5179 MMBT5179 PN5179 C E C TO-92 C TO-92 B B E SOT-23 E B Mark 3C NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 A to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless o

Другие транзисторы: PN5136, PN5137, PN5138, PN5139, PN5140, PN5141, PN5142, PN5143, D667, PN5179, PN5400, PN5400R, PN5401, PN5401R, PN5447, PN5449, PN5550