PN835. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PN835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для PN835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN835 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PN7055, PN706, PN706A, PN708, PN750, PN751, PN753, PN834, D882, PN901, PN911, PN918, PN918R, PN929, PN929A, PN930, PN930A