2N5099 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5099 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5099
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N5099

2N5099 Datasheet (PDF)

..1. Size:11K semelab
2n5099.pdf

2N5099

2N5099Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 550V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.1. Size:11K semelab
2n5095.pdf

2N5099

2N5095Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 400V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.2. Size:95K ssdi
2n5094 2n5096.pdf

2N5099 2N5099