PTB20082. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20082

Маркировка: 20082

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20209

 Аналоги (замена) для PTB20082

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20082 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20053, PTB20060, PTB20062, PTB20071, PTB20074, PTB20077, PTB20078, PTB20081, BD222, PTB20091, PTB20095, PTB20097, PTB20101, PTB20105, PTB20110, PTB20111, PTB20125