PTB20111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20111

Маркировка: 20111

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 159 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20216

 Аналоги (замена) для PTB20111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20111 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20081, PTB20082, PTB20091, PTB20095, PTB20097, PTB20101, PTB20105, PTB20110, 2N5551, PTB20125, PTB20134, PTB20135, PTB20141, PTB20144, PTB20145, PTB20146, PTB20147