Биполярный транзистор PTB20134 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: PTB20134
   Маркировка: 20134
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: M118
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам