PTB20141. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20141

Маркировка: 20141

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 51.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для PTB20141

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20141 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20097, PTB20101, PTB20105, PTB20110, PTB20111, PTB20125, PTB20134, PTB20135, 2N3055, PTB20144, PTB20145, PTB20146, PTB20147, PTB20148, PTB20151, PTB20152, PTB20156