PTB20145. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PTB20145
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 915 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: 20208
Аналоги (замена) для PTB20145
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PTB20145 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: PTB20105, PTB20110, PTB20111, PTB20125, PTB20134, PTB20135, PTB20141, PTB20144, TIP41, PTB20146, PTB20147, PTB20148, PTB20151, PTB20152, PTB20156, PTB20157, PTB20159
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet
