PTB20151. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20151

Маркировка: 20151

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: 20223

 Аналоги (замена) для PTB20151

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20151 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20134, PTB20135, PTB20141, PTB20144, PTB20145, PTB20146, PTB20147, PTB20148, 2SA1943, PTB20152, PTB20156, PTB20157, PTB20159, PTB20162, PTB20165, PTB20166, PTB20167