PTB20171. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20171

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 145 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 935 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: M169

 Аналоги (замена) для PTB20171

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20171 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20157, PTB20159, PTB20162, PTB20165, PTB20166, PTB20167, PTB20169, PTB20170, A1941, PTB20173, PTB20174, PTB20175, PTB20176, PTB20177, PTB20179, PTB20181, PTB20183