PTB20183. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20183

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 145 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 935 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: M169

 Аналоги (замена) для PTB20183

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20183 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20171, PTB20173, PTB20174, PTB20175, PTB20176, PTB20177, PTB20179, PTB20181, BC327, PTB20187, PTB20189, PTB20191, PTB20193, PTB20195, PTB20200, PTB20202, PTB20204