Справочник транзисторов. RCP111B

 

Биполярный транзистор RCP111B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: RCP111B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для RCP111B

 

 

RCP111B Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC3331S | CSD545F | 2SB1026

 

 
Back to Top