RCP115B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCP115B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для RCP115B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RCP115B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: RCP111C, RCP111D, RCP113A, RCP113B, RCP113C, RCP113D, RCP115, RCP115A, TIP41C, RCP117, RCP117A, RCP117B, RCP131A, RCP131B, RCP131C, RCP133A, RCP133B