2N5126 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2N5126
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO106
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам