2N5127 - описание и поиск аналогов

 

2N5127. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5127

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для 2N5127

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5127 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N512, 2N5120, 2N5121, 2N5122, 2N5123, 2N5124, 2N5125, 2N5126, 2SD1047, 2N5128, 2N5129, 2N512A, 2N512B, 2N513, 2N5130, 2N5131, 2N5132

 

 

 

 

↑ Back to Top
.