S630T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: S630T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для S630T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
S630T даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: S416T, S483T, S518T, S5327E, S601T, S627T, S628T, S629T, 2N5551, S637T, S662T, S671T, S673T, S679T, S690T, S691T, S730T
History: CSC536D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent
