Биполярный транзистор S662T Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: S662T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам