Биполярный транзистор SC157VI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SC157VI
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: X13
SC157VI Datasheet (PDF)
2sc1573.pdf
Transistor2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573BSilicon NPN triple diffusion planer typeFor high breakdown voltage general amplificationUnit: mmFor small TV video output5.9 0.2 4.9 0.2Complementary to 2SC1573 and 2SA879FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)0.7 0.1Parameter Symbol Ratings Unit2.54 0
2sc1573 e.pdf
Transistor2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573BSilicon NPN triple diffusion planer typeFor high breakdown voltage general amplificationUnit: mmFor small TV video output5.9 0.2 4.9 0.2Complementary to 2SC1573 and 2SA879FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)0.7 0.1Parameter Symbol Ratings Unit2.54 0
2sc1573-a 3da1573-a.pdf
2SC1573(3DA1573) 2SC1573A(3DA1573A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier and video frequency output in small screen TV. :,f , 2SA879(3CA879) TFeatures: High V , high f ; Complementary pair with 2SA879(3CA879). CEO T/Absolute maximum rati
2sc1576.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1576DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
2sc1579.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1579DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
2sc1577.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1577DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: TP3414
History: TP3414
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050