SD109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD109

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для SD109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD109 даташит

 0.1. Size:197K  toshiba
2sd1090.pdfpdf_icon

SD109

 0.2. Size:285K  toshiba
2sd1092.pdfpdf_icon

SD109

 0.3. Size:185K  inchange semiconductor
2sd1095.pdfpdf_icon

SD109

isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1095 DESCRIPTION High Voltage Capability Excellent Safe Operating Area Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Motor controls . DC-DC converters . Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYM

 0.4. Size:185K  inchange semiconductor
2sd1094.pdfpdf_icon

SD109

Другие транзисторы: SC258A, SC258B, SC258VI, SC259, SC259A, SC259B, SC4010, SC4244, 2SA1015, SD1893, SD1893F, SD2222A, SD2222AF, SD2857, SD2857F, SD2904A, SD2904AF