SD3866AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD3866AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для SD3866AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD3866AF даташит

 9.1. Size:138K  sanyo
 2sd386a.pdf pdf_icon

SD3866AF

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd386.pdf pdf_icon

SD3866AF

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD386 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 1.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.3. Size:125K  inchange semiconductor
 2sd386 2sd386a.pdf pdf_icon

SD3866AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD386 2SD386A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage VCBO=200V(min) APPLICATIONS For TV vertical deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

Другие транзисторы: SD2857, SD2857F, SD2904A, SD2904AF, SD2907A, SD2907AF, SD3019F, SD3866A, MJE350, SD3960F, SD4261, SD4261F, SD4957, SD4957F, SD5109, SD5109F, SD918