SDM4012 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор SDM4012 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: SDM4012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для SDM4012

SDM4012 Datasheet (PDF)

9.1. Size:436K 1
asdm40n52e-r.pdf

ASDM40N5240V N-Channel MOSFETGeneral Features Product Summary Low On-ResistanceV 40 VDSS 100% avalanche tested4.2 R mDS(ON)-Typ Fast Switching SpeedI 52 A Excellent package for good heat dissipation DApplication DC/DC ConvertersPin1 On board power for server Synchronous rectificationAbsolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise s

9.2. Size:461K 1
asdm40n80q.pdf

ASDM40N80Q40V N-CHANNEL MOSFETFeaturesProduct Summary Low On-ResistanceV 40 V DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested R 3.5 mDS(ON)-Typ@VGS=10V Lead Free and Green DevicesI 80 A DAvailable (RoHS Compliant)Application DC/DC Converters On board power for server Synchronous rectificationtop view DFN5x6-8Absolute Maximum Ratings

9.3. Size:461K ascend
asdm40n80q.pdf