SFT120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT120

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для SFT120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT120 даташит

 0.1. Size:57K  sanyo
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT120

Ordering number ENA1169 SFT1202 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SFT1202 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch

 0.2. Size:413K  onsemi
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT120

Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 0.3. Size:305K  onsemi
 sft1202-e.pdf pdf_icon

SFT120

Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 0.4. Size:250K  inchange semiconductor
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT120

isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A) CE(sat C B Fast -Switching speed High allowable power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS DC/DC converter Relay dirvers Lamp dirvers Motor dirvers inverter ABSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SF335D, SF367, SFT106, SFT107, SFT108, SFT115, SFT116, SFT119, 2SD718, SFT121, SFT122, SFT123, SFT124, SFT125, SFT125P, SFT126, SFT127