Биполярный транзистор SFT122
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SFT122
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: X01
Аналоги (замена) для SFT122
SFT122
Datasheet (PDF)
9.1. Size:57K sanyo
sft1202.pdf 
Ordering number : ENA1169 SFT1202SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorSFT1202High-Voltage Switching ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch
9.2. Size:413K onsemi
sft1202.pdf 
Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
9.3. Size:305K onsemi
sft1202-e.pdf 
Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
9.4. Size:250K inchange semiconductor
sft1202.pdf 
isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A)CE(sat C BFast -Switching speedHigh allowable power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC/DC converterRelay dirversLamp dirversMotor dirversinverterABSO
Другие транзисторы... 2SA1179M4
, 2SA1179M5
, 2SA1179M6
, 2SA1179M7
, 2SA118
, 2SA1180
, 2SA1180A
, 2SA1182
, BD777
, 2SA1182Y
, 2SA1183
, 2SA1184
, 2SA1185
, 2SA1186
, 2SA1186O
, 2SA1186P
, 2SA1186Y
.
