SFT127. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SFT127
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для SFT127
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SFT127 даташит
sft1202.pdf
Ordering number ENA1169 SFT1202 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SFT1202 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch
sft1202.pdf
Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
sft1202-e.pdf
Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
sft1202.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A) CE(sat C B Fast -Switching speed High allowable power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS DC/DC converter Relay dirvers Lamp dirvers Motor dirvers inverter ABSO
Другие транзисторы: SFT120, SFT121, SFT122, SFT123, SFT124, SFT125, SFT125P, SFT126, 2SC4793, SFT128, SFT130, SFT131, SFT131P, SFT141, SFT142, SFT143, SFT144
History: BU208
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121



