SFT211. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT211

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SFT211

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT211 даташит

 9.1. Size:97K  ssdi
 sft210de.pdf pdf_icon

SFT211

SFT210DE Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 50 mA, 30 Volt, 1 nsec DESIGNER S DATA SHEET High Speed Analog Part Number / Ordering Information 1/ N-Channel DMOSFET switch SFT210 DE __ Features Ultra-High Speed Switching tON

Другие транзисторы: SFT162, SFT163, SFT171, SFT172, SFT173, SFT174, SFT184, SFT186, 2SB817, SFT212, SFT213, SFT214, SFT221, SFT222, SFT223, SFT226, SFT227