SFT213. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT213

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SFT213

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT213 даташит

 9.1. Size:97K  ssdi
 sft210de.pdf pdf_icon

SFT213

SFT210DE Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 50 mA, 30 Volt, 1 nsec DESIGNER S DATA SHEET High Speed Analog Part Number / Ordering Information 1/ N-Channel DMOSFET switch SFT210 DE __ Features Ultra-High Speed Switching tON

Другие транзисторы: SFT171, SFT172, SFT173, SFT174, SFT184, SFT186, SFT211, SFT212, 2SC2655, SFT214, SFT221, SFT222, SFT223, SFT226, SFT227, SFT228, SFT229