Справочник транзисторов. SGS130

 

Биполярный транзистор SGS130 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SGS130
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO126
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGS130 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:643K  1
 sgs13n60ufd.pdf pdf_icon

SGS130

April 2001 IGBTSGS13N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UFD series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters whe

 9.2. Size:584K  1
 sgs13n60uf.pdf pdf_icon

SGS130

April 2001 IGBTSGS13N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where

Другие транзисторы... SGS116 , SGS117 , SGS120 , SGS121 , SGS122 , SGS125 , SGS126 , SGS127 , 2SC2073 , SGS131 , SGS132 , SGS135 , SGS136 , SGS137 , SGS3055 , SGS6386 , SGS6387 .

 

 
Back to Top

 


 
.