Биполярный транзистор SGS132 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SGS132
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO126
SGS132 Datasheet (PDF)
sgs13n60ufd.pdf
April 2001 IGBTSGS13N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UFD series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters whe
sgs13n60uf.pdf
April 2001 IGBTSGS13N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2S124 | 2SD373A | ZXT10N15DE6 | MJ11022 | NB012F | 2N863 | 2SD320
History: 2S124 | 2SD373A | ZXT10N15DE6 | MJ11022 | NB012F | 2N863 | 2SD320
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050