Справочник транзисторов. SGS135

 

Биполярный транзистор SGS135 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SGS135
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для SGS135

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGS135 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:643K  1
 sgs13n60ufd.pdf pdf_icon

SGS135

April 2001 IGBTSGS13N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UFD series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters whe

 9.2. Size:584K  1
 sgs13n60uf.pdf pdf_icon

SGS135

April 2001 IGBTSGS13N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 40396 | AD136-4 | 2SC3182N

 

 
Back to Top

 


 
.