SGS136. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGS136

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для SGS136

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGS136 даташит

 9.1. Size:643K  1
 sgs13n60ufd.pdf pdf_icon

SGS136

April 2001 IGBT SGS13N60UFD Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5A The UFD series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters whe

 9.2. Size:584K  1
 sgs13n60uf.pdf pdf_icon

SGS136

April 2001 IGBT SGS13N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5A The UF series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where

Другие транзисторы: SGS122, SGS125, SGS126, SGS127, SGS130, SGS131, SGS132, SGS135, S9014, SGS137, SGS3055, SGS6386, SGS6387, SGS6388, SGS911, SGS912, SGSD00020