Биполярный транзистор SGSD200 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: SGSD200
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TOP3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам