SGSD200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGSD200

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для SGSD200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSD200 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SGS6386, SGS6387, SGS6388, SGS911, SGS912, SGSD00020, SGSD100, SGSD110, BC546, SGSD210, SGSD93E, SGSD93F, SGSD93G, SGSF321, SGSF323, SGSF324, SGSF341