Биполярный транзистор SGSF543 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: SGSF543
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам