SGSF563. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGSF563

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SGSF563

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSF563 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SGSF463, SGSF464, SGSF465, SGSF541, SGSF543, SGSF544, SGSF545, SGSF561, 2SD669A, SGSF564, SGSF565, SGSF661, SGSF663, SGSF664, SGSF665, SGSIF321, SGSIF323