SGSF663 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: SGSF663
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам