SGSF663. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGSF663

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SGSF663

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSF663 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SGSF543, SGSF544, SGSF545, SGSF561, SGSF563, SGSF564, SGSF565, SGSF661, 2SA1015, SGSF664, SGSF665, SGSIF321, SGSIF323, SGSIF324, SGSIF325, SGSIF341, SGSIF343