SGSF665. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGSF665

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SGSF665

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSF665 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SGSF545, SGSF561, SGSF563, SGSF564, SGSF565, SGSF661, SGSF663, SGSF664, BC639, SGSIF321, SGSIF323, SGSIF324, SGSIF325, SGSIF341, SGSIF343, SGSIF344, SGSIF345