SK2604A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SK2604A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Аналоги (замена) для SK2604A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SK2604A даташит
2sk2604.pdf
2SK2604 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2604 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
2sk2607.pdf
2SK2607 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2607 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Moter Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0
2sk2608.pdf
2SK2608 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2608 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 3.73 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 2.6 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
2sk2603.pdf
2SK2603 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2603 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 3.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0
Другие транзисторы: SGSIF461, SGSIF463, SGSIF464, SGSIF465, SHA7530, SHA7534, SK1639, SK1641, 2N3904, SK3003, SK3010, SK3011, SK3012, SK3026, SK3040, SK3054, SK3114
History: 2N3420S | 2SD1473
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet










