Справочник транзисторов. 2N5176

 

Биполярный транзистор 2N5176 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5176
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5176

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5176 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:289K  fairchild semi
2n5172.pdfpdf_icon

2N5176

2N5172B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVCBO Collector-Base Voltage 25 VVEBO Em

 9.2. Size:70K  central
2n5172 2n6076 mps5172 mps6076.pdfpdf_icon

2N5176

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

 9.3. Size:60K  central
2n5179.pdfpdf_icon

2N5176

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:75K  secos
2n5172.pdfpdf_icon

2N5176

2N5172 0.5 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Amplifier TransistorG H EmitterCollector Base JA DCollector Millimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70B 4.30 4.70K C 12.70 -D 3.30 3.81 E 0.3

Другие транзисторы... 2N5160 , 2N5161 , 2N5162 , 2N517 , 2N5172 , 2N5173 , 2N5174 , 2N5175 , BD136 , 2N5177 , 2N5178 , 2N5179 , 2N518 , 2N5180 , 2N5181 , 2N5182 , 2N5183 .

 

 
Back to Top

 


 
.