Биполярный транзистор SMBTA05 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SMBTA05
Маркировка: 1H_S1H_s1H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO236
SMBTA05 Datasheet (PDF)
smbta05.pdf
NPN Silicon AF Transistors SMBTA 05SMBTA 06 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: SMBTA 55SMBTA 56 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3SMBTA 05 s1H Q68000-A3430 B E C SOT-23SMBTA 06 s1G Q68000-A3428Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitSMBTA 05 SMBTA 06Collector-emitter volt
smbta06m.pdf
SMBTA 06MNPN Silicon AF Transistor4 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage5 Complementary type: SMBTA 56M (PNP)321VPW05980Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageSMBTA 06M s1G Q62702-A3473 1 = B 2 = C 3 = E 4=n.c. 5 = C SCT-595Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage VCEO 80 VCollector-base
smbta06.pdf
SMBTA 06NPN Silicon AF Transistor3 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: SMBTA 56 (PNP)21VPS05161Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageSMBTA 06 s1G Q68000-A3428 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage 80 VVCEOCollector-base voltage 80VCBOEmitter-ba
smbta06 mmbta06.pdf
SMBTA06/MMBTA06NPN Silicon AF Transistor Low collector-emitter saturation voltage23 Complementary type: 1 SMBTA 56 / MMBTA56 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageSMBTA06/MMBTA06 s1G SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit80 VCollector-emitter voltage VCEO80Colle
smbta06upn.pdf
SMBTA06UPNNPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage43 Low collector-emitter saturation voltage 5261 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101C1 B2 E26 5 4 Tape loading orientationTR2Marking on SC74 package TR1Top View(for example W1s)6
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050