Справочник транзисторов. SS9014

 

Биполярный транзистор SS9014 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SS9014
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SS9014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  fairchild semi
 ss9014.pdf pdf_icon

SS9014

SS9014Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise High total power dissipation. (PT=450mW) High hFE and good linearity Complementary to SS9015TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVEBO

 ..2. Size:47K  samsung
 ss9014.pdf pdf_icon

SS9014

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISETO-92 High total power dissipation. (PT=450mW) High hFE and good linearity Complementary to SS9015ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 50VCollector-Emitter Voltage VCEO 45VEmitter-Base Voltage VEBO 5mACollector Current IC

 9.1. Size:40K  fairchild semi
 ss9018.pdf pdf_icon

SS9014

SS9018AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Colle

 9.2. Size:35K  fairchild semi
 ss9012.pdf pdf_icon

SS9014

SS90121W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC= -500mA) Complementary to SS9013 Excellent hFE linearity.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.