Справочник транзисторов. 2N519

 

Биполярный транзистор 2N519 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N519
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N519 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:217K  motorola
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N519

Order this documentMOTOROLAby 2N5191/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N51912N5192*Silicon NPN Power Transistors*Motorola Preferred Device. . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits.Complement to PNP 2N5194, 2N5195.4 AMPEREPOWER TRANSISTORS

 0.2. Size:212K  motorola
2n5194 2n5195.pdfpdf_icon

2N519

Order this documentMOTOROLAby 2N5194/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N51942N5195*Silicon PNP Power Transistors*Motorola Preferred Device. . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits.Complement to NPN 2N5191, 2N51924 AMPEREPOWER TRANSISTORS

 0.3. Size:230K  st
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N519

2N51912N5192NPN power transistorsFeatures NPN transistorsApplications Linear and switching industrial equipmentDescription12The devices are manufactured in Planar 3technology with Base Island layout. The SOT-32resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type of 2N5192 is 2N5195.Figure

 0.4. Size:206K  st
2n5195.pdfpdf_icon

2N519

2N5195Low voltage PNP power transistorFeatures Low saturation voltage PNP transistorApplication Audio, power linear and switching equipment12Description3SOT-32The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The Figure 1.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N3779 | 2N3766SM | 2N5184 | 2N518A | 2N3583

 

 
Back to Top

 


 
.