2N5191 - описание и поиск аналогов

 

2N5191. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5191

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2N5191

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5191 даташит

 ..1. Size:217K  motorola
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5191

 ..2. Size:230K  st
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5191

2N5191 2N5192 NPN power transistors Features NPN transistors Applications Linear and switching industrial equipment Description 1 2 The devices are manufactured in Planar 3 technology with Base Island layout. The SOT-32 resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type of 2N5192 is 2N5195. Figure

 ..3. Size:61K  central
2n5190 2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5191

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 ..4. Size:84K  onsemi
2n5190 2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5191

2N5190, 2N5191, 2N5192 Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195. http //onsemi.com Features ESD Ratings Machine Model, C; > 400 V 4.0 AMPERES Human Body Model, 3B; > 8000 V NPN SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in. POWER TRANSISTORS

Другие транзисторы: 2N5185, 2N5186, 2N5187, 2N5188, 2N5189, 2N518A, 2N519, 2N5190, 2N3055, 2N5192, 2N5193, 2N5194, 2N5195, 2N519A, 2N52, 2N520, 2N5200

 

 

 

 

↑ Back to Top
.