Биполярный транзистор STC5085 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STC5085
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
STC5085 Datasheet (PDF)
stc503d.pdf
STC503DNPN Silicon TransistorApplications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage : VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252Absolute Maximum
stc503f.pdf
STC503FNPN Silicon TransistorPIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage : VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050