2N5203 - описание и поиск аналогов

 

2N5203. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5203

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N5203

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5203 даташит

 9.1. Size:277K  motorola
 2n5209 2n5210.pdf pdf_icon

2N5203

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5209/D Amplifier Transistors NPN Silicon 2N5209 2N5210 COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 50 Vdc Collector Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current C

 9.2. Size:297K  motorola
 2n5208.pdf pdf_icon

2N5203

 9.3. Size:208K  international rectifier
 2n681 2n5204.pdf pdf_icon

2N5203

 9.4. Size:69K  central
 2n5209 2n5210.pdf pdf_icon

2N5203

DATA SHEET 2N5209 2N5210 NPN SILICON TRANSISTOR TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5209 and 2N5210 are silicon NPN Transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high gain and low noise. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5194, 2N5195, 2N519A, 2N52, 2N520, 2N5200, 2N5201, 2N5202, TIP3055, 2N5208, 2N5209, 2N520A, 2N521, 2N5210, 2N5211, 2N5212, 2N5213

 

 

 

 

↑ Back to Top
.