Справочник транзисторов. 2N5208

 

Биполярный транзистор 2N5208 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5208
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N5208

 

 

2N5208 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  motorola
2n5208.pdf

2N5208 2N5208

 9.1. Size:277K  motorola
2n5209 2n5210.pdf

2N5208 2N5208

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5209/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N52092N5210COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 50 VdcCollectorBase Voltage VCBO 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current C

 9.2. Size:208K  international rectifier
2n681 2n5204.pdf

2N5208 2N5208

 9.3. Size:69K  central
2n5209 2n5210.pdf

2N5208 2N5208

DATA SHEET2N5209 2N5210 NPN SILICON TRANSISTOR TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5209 and 2N5210 are silicon NPN Transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high gain and low noise. MAXIMUM RATINGS (TA=25C) SYMBOL UNITS Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base V

 9.5. Size:184K  inchange semiconductor
2n5202.pdf

2N5208 2N5208

isc Silicon NPN Power Transistor 2N5202DESCRIPTIONCollector-emitter sustaining voltage V = 90V(Min)CEO(SUS)High saturation voltageWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-current, high-speed switchingcircuits such as:low-distortion power amplifiers,oscillators,

Другие транзисторы... 2N5195 , 2N519A , 2N52 , 2N520 , 2N5200 , 2N5201 , 2N5202 , 2N5203 , 2SC2073 , 2N5209 , 2N520A , 2N521 , 2N5210 , 2N5211 , 2N5212 , 2N5213 , 2N5214 .

 

 
Back to Top