Биполярный транзистор 2N5213 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5213
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO37
2N5213 Datasheet (PDF)
2n5209 2n5210.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5209/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N52092N5210COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 50 VdcCollectorBase Voltage VCBO 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current C
2n5210 mmbt5210.pdf
2N5210/MMBT5210NPN General Purpose AmplifierCThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1A to 50 mA.ECTO-92BEB SOT-23Mark: 3MAbsolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 50 VVEBO Emitter-B
2n5210.pdf
2N5210 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAMPLIFIER TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V Collector Dissipation: PC (max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Voltage VEBO 4.5 VCollector Current IC 50 mACollector Dissipation PC 625 mWJun
2n5209 2n5210.pdf
DATA SHEET2N5209 2N5210 NPN SILICON TRANSISTOR TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5209 and 2N5210 are silicon NPN Transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high gain and low noise. MAXIMUM RATINGS (TA=25C) SYMBOL UNITS Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base V
Другие транзисторы... 2N5203 , 2N5208 , 2N5209 , 2N520A , 2N521 , 2N5210 , 2N5211 , 2N5212 , MJE340 , 2N5214 , 2N5215 , 2N5216 , 2N5217 , 2N5218 , 2N5219 , 2N521A , 2N522 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050