T2026 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: T2026  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO9

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для T2026

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T2026 даташит

 0.1. Size:102K  renesas
 rej03g1161 hat2026rds.pdf pdf_icon

T2026

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:1195K  winsok
 wst2026.pdf pdf_icon

T2026

WST2026 N-Channel MOSFET General Description Product Summery The WST2026 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 20V 65m 2.0A gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST2026 meet the RoHS and Green Product requirement with full

Другие транзисторы: T2018, T2019, T2020, T2021, T2022, T2023, T2024, T2025, D880, T2028, T2029, T2030, T2050, T2057, T2058, T2059, T2060