Справочник транзисторов. TD162A

 

Биполярный транзистор TD162A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TD162A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TD162A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  kec
 ktd1624.pdf pdf_icon

TD162A

SEMICONDUCTOR KTD1624TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACFEATURESHAdoption of MBIT processes.GLow collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.DIM MILLIMETERSLarge current capacity and wide ASO.A 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20Complementary to KTB1124.K C 1.7

 9.2. Size:1380K  blue-rocket-elect
 ktd1624.pdf pdf_icon

TD162A

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT -, KTB1124Adoption of MBIT processes, low collector-t

 9.3. Size:1562K  first silicon
 ftd1624.pdf pdf_icon

TD162A

SEMICONDUCTORFTD1624TECHNICAL DATAVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACHGFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed. DDKLarge current capacity and wide ASO.F FDIM MILLIMETERSComplementary to FTB1124.A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )1

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: IR2500 | 3CG5415 | HSD667A | D33J24 | KSD568Y | 2N2106 | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.