Справочник транзисторов. TD162C

 

Биполярный транзистор TD162C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TD162C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для TD162C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TD162C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  kec
 ktd1624.pdf pdf_icon

TD162C

SEMICONDUCTOR KTD1624TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACFEATURESHAdoption of MBIT processes.GLow collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.DIM MILLIMETERSLarge current capacity and wide ASO.A 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20Complementary to KTB1124.K C 1.7

 9.2. Size:1380K  blue-rocket-elect
 ktd1624.pdf pdf_icon

TD162C

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT -, KTB1124Adoption of MBIT processes, low collector-t

 9.3. Size:1562K  first silicon
 ftd1624.pdf pdf_icon

TD162C

SEMICONDUCTORFTD1624TECHNICAL DATAVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACHGFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed. DDKLarge current capacity and wide ASO.F FDIM MILLIMETERSComplementary to FTB1124.A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )1

Другие транзисторы... TD13005 , TD13005D , TD13005DSMD , TD13005SMD , TD162 , TD162-1 , TD162A , TD162B , 2SC5198 , TD163 , TD163-1 , TD163A , TD163B , TD163C , TD264 , TD264-1 , TD264A .

History: BUD87SMD | 2SB338 | SBR13003B1 | KSB1017R | BLX71 | 2SA2088

 

 
Back to Top

 


 
.