TD163. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TD163
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для TD163
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TD163 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: TD13005D, TD13005DSMD, TD13005SMD, TD162, TD162-1, TD162A, TD162B, TD162C, D882P, TD163-1, TD163A, TD163B, TD163C, TD264, TD264-1, TD264A, TD264B
History: 159NT1D | 2SA733M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404
